2011年度VDEC-MOSISチップ試作プログラム

〜試作日程と申し込み方法〜

 

申し込み方法

 東京大学 松本 (matsumoto @ cad.t.u-tokyo.ac.jp, @前後のスペースは削除してください)宛てにメールでお申込みください。

設計提出締め切りについては、以下の試作日程をご覧ください。

 

VDEC/MOSIS共同試作プログラムのTSMC 65nm, 90nmシャトルにアカデミック価格が設定されました。締切りは、65nm(Mixed Signal)が9/19、90nm(Mixed Signal)が10/10となります。価格および詳細は、松本までお問合せください。(2011年9月1日更新)

 

試作日程および費用

 

IBM CMOS 130nm (8F-DM)

試作費用

 

最小寸法

 

チップサイズ

1mm×2mm

2mm2

価格

60万円

面積比例

(※)最小寸法以外の試作費用は、(チップ面積(mm2) / 2)×(最小寸法価格)により算出

(※)価格は税抜き

 

試作日程

試作コード

設計締切

1

MI1311_1

2011/8/8

2

MI1311_2

2011/11/7

 

IBM SiGe BiCMOS 130nm (8HP)

試作費用

 

最小寸法

 

チップサイズ

1mm×2mm

2mm2

価格

85万円

面積比例

(※)最小寸法以外の試作費用は、(チップ面積(mm2) / 2)×(最小寸法価格)により算出

(※)価格は税抜き

 

試作日程

試作コード

設計締切

1

MI1311_3

2011/6/27

2

MI1311_4

2011/8/22

3

MI1311_5

2011/10/17

 

ON Semi CMOS 500nm (C5N)

試作費用

 

最小寸法

 

チップサイズ

1mm×2mm

2mm2

価格

12万円

面積比例

(※)最小寸法以外の試作費用は、(チップ面積(mm2) / 2)×(最小寸法価格)により算出

(※)価格は税抜き

 

試作日程

試作コード

設計締切

1

MO5011_1

2011/7/18

2

MO5011_2

2011/7/25

3

MO5011_3

2011/9/26

4

MO5011_4

2011/11/28