デジタルピン | 320デジタルピンを実装する。 |
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アナログチャンネル | 4チャンネルのアナログチャンネルを実装する。 |
最大デ一タレイト | 入出力切り替えピンの最大デ一タレイトは200MHz |
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実動作速度での入出力切り替え | ピリオド及ぴタイミングセットは、 最大デ一タレイト(すなわち200MHz)と同一周波数の実動作速度下(at speed)で、 切り替える機能を有する。 |
システムPMU | 一式実装する。 |
各ピンPMU | システムPMUとは別に、全てのピン毎にPMUを実装する。 |
ロ一カルメモリ容量 | 4Mべクタ一を実装する。 |
タイミングセットの数 | 1024セットのタイミングセットを設定できる。 |
オートキャリブレーション | システムの精度を保証するために、システム内臓の時間測定ユニットでテストへッド のピンから、各ドイバー/コンパレーター間の時間差を測定して、デ一タを保管し、 プログラムの設定値に対しての補正を自動的に行える。また、パフォーマンスボ一ド毎に ポ一ド特有の誤差を測定して、ボ一ド上に取り付けたEPROM に記録しておき、使用時に 補正を自動的に行える。これらにより各チャンネル間のスキュウ等を最小限に抑える, |
スキャンテスト | すべてのピンがスキャンテスト機能を標準で装備する。 |
ダイナミックピンマッピング | この機能により一つのテストプログラムで、 再コンパイルすることなく、種類の異なるパッケ一ジまたは、異なる配線に対応すること が可能とする。 |
シーケンサーパーピン | この新しいアーキテクチヤーにより、シミュレータの出力に準じたイべントを各ピンの 動作に従ってプログラムできる。 |
アナログチャンネル構成 | 各アナログチャンネルは、Waveform source,Waveform measure,Waveform filter の機能を有する。 | |
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非同期型テスト機能及ぴサンプル容量 | 各SouneとMeasureは、独立して非同期型のテストを実行できる。また、 Waveform storageは、1Mサンプル分の容量を有する。 | |
分解能 | 2チャンネルを高精度モジュール | |
Waveform Source | 100Khz以下の周波数帯域では、24bits | |
1.6Mhz以下の周波数帯域では、16bits | ||
Waveform Measure | 100Khz以下の周波数帯域では、20bits | |
2Mhz以下の周波数帯域では、16bitsとし、残り2チャンネルを高速モジュール | ||
Waveform source | 135Mhz以下の周波数帯域では、12bits | |
Waveform Measure | 20Mhz以下の周波数帯域では、14bits | |
50Mhz以下の周波数帯域では、10bitsとする。 | ||
High Bandwidth Sampler | High Bandwidth Samplerを実装する。1Ghz以下の周波数帯域では、16bits |
電子ビームプローブ径 | 0.1um (ビーム電流700pA、加速電圧lkVにおいて) |
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最小ビームパルス幅 | 200ps |
ビーム加速電圧 | 500eV〜1200eVの間で可変 |
電子銃 | LaB6 |
二次電子分光器 | 磁界界浸型(Magnetic-collimalion type) |
像観測モード | リアルタイム像およびストロボモード像いずれでの観測も可能 |
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プロービング方法 | 点プロービング法およびエリアプロービング法可能 |
倍率 | 100倍〜60,000倍の間で可変設定可能 |
電圧レンジ | ±10V |
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電圧分解能 | 100mV |
遅延時間分解能 | 10ps |
電圧軸表示 | 20mV/div〜10V/divで 1,2,5ステップで変化可能 |
時間軸表示 | 500Ps/div〜100ms/divで 1,2,5ステップで変化可能 |
試料の装着 | システム上方からの装着方式 |
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ミックスシグナルテスタ一のテスト | システム上方からの直結方式へッドとの接続 |
ウェハ試料の装着 | マニュアルウエハ一リッド(8インチ対応)をパッケージパーツリッドと交換することにより行なう方式 |
リッドのタイプ | バッケ一ジパ一ツリッドを装備することにより、フィクスチャ一は回路修正システムとの機依的互換性を有する |
試料ステージ移動領域 | 32mm x 32mm(自動モード) |
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8インチウェハー対応(手動モード) |
真空装置制御 | ソフトウュアによる全自動制御方式 |
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ワークステーション | Sun SPARCstation 20 mode171 (Spec/int 92 125.8)で制御 |
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主記憶容量 | 64MByte |
ハードデイスク容量 | 5GB(内蔵1GB x 1、外付け 4GB x 1) |
周辺装置 | コンパクトデイスクドライブ、磁気テープドライブ、 フロッピーデイスクドライブ、レーザープりンターを装備 |
OSおよびWindow system | SunOSおよびOpen Windows |
制御ソフトウェア環境 | ウインドウの環境下で動作し、グラフイカルユーザーインターフェースを装備 |
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操作 | システムの通常の作業に関わる操作はすべて制御ソフトウェアによって行なうことが可能 |
制御ソフトウェア | 電子線ツール(電子線のオンオフ)、真空排気ツール(真空排気装置のオンオフおよび真空 度到達度表示)、像観測ツール(像観測システムの制御)、アナログ波形観測ツール(アナログ波形観測システムの制御)、 CADナピゲーションツール(SCHEMATICツール,NETLISTツール,LAYOUTツール)を有する |
設計レイアウトデータの観測像への重ね合わせ表示 | LAYOUT Toolに表示された設計レイアウトデータを、それに対応する像観測ツールでの観測 像の対応した位置に同じ倍率で重ね合わせて表示させることが可能である。 |
イオン源 | ガリウム液体金属 |
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最小イオンスポットサイズ | 25nm |
最大加工精度 | ±0.15um/200um (Large Aera Overlay装備による) |
加速電圧 | 5keV〜30keVの間で可変 |
ビーム電流 | 5pA〜6nAの間で可変 |
像観測 | イオン顕微鏡像 |
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最大観測範囲 | 5mm x 5mm |
最小観測範囲 | 1um x 1um |
イオン顕微鏡像の保存 | ハードディスクへのファイル保存が可能 |
Deposition(導体成膜) | プラチナ合金による特定箇所への成膜が可能 |
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Milling(切削) | イオン衝突による特定箇所の切削が可能 |
Metal Selective Milling(導体選択切削) | RIE方式による特定箇所の導体材料選択的切削が可能 |
Dielectric Selective Milling(非導体選択切削) | RIE方式による特定箇所の非導体材料選択的切削が可能 |
試料の装着 | システム上方からの装着方式 |
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フィクスチャーとの互換性 | バッケージパーツリッドを装備(Kimematic Mount)し、 フィクスチャーは無接触電子線テスターとの機械的互換性を有する。 |
ウェーハー試科装着治具との互換性 | 無接触電子線テスタ一との共用とするマニュアルウエーハーリッド(8インチ対応)をパッケージパーツ リッドと交換することにより互換性を持たせる。 |
試料ステージ移動領域 | 32mm x 32mm(自動モード) | 8インチウェハー対応(手動モード) |
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Tilt Stage(試料ステージ傾斜制御) | 3軸(Rolation,Height,Theta)制御、ステージサイズ:80mm径円形 |
真空排気制御 | ソフトウェアによる全自動制御方式 |
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ワークステーション | Sun SPARCstation 20 mode171 (Spec/int 92 125.8)で制御 |
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主記憶容量 | 64MByte |
ハードデイスク容量 | 1GB |
周辺装置 | コンパクトデイスクドライブ、磁気テープドライブ、 フロッピーデイスクドライブを装備 (レーザーライターは、無接触電子線テスターと共用) |
OSおよびWindow system | SunOSおよびOpen Windows |
制御ソフトウェア環境 | オープンウインドウ上で動作し、グラフイカルユーザーインターフェースを装備 |
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操作 | システムの通常の作業に関わる操作はすべて制御ソフトウェアによって行なうことが可能 |
制御ツール | 回路修正ツール(Deposition,Milling)、システムコントロールツール(真空排気装置のオン オフおよび真空度到達度表示、システム監視パラメータ表示、観測像表示)、CADナビゲー ションツールを有する |
設計レイアウトデータの観測像への重ね合わせ表示 | LAYOUT Toolに表示された設計レイアウトデータを、それに対応する像観測ツールでの観測 像の対応した位置に同じ倍率で重ね合わせて表示させることが可能である |
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